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- Artikelnummer:
- IRLHM630TR2PBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 21A PQFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
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IRLHM630TR2PBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRLHM630TR2PBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
21A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
62nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3170pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.7W (Ta), 37W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PQFN (3x3)
Paket / fall :
8-VQFN Exposed Pad
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