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Microchip Technology - TP2510N8-G

KEY Part #: K6394014

TP2510N8-G Preise (USD) [105578Stück Lager]

  • 1 pcs$0.37943
  • 2,000 pcs$0.37754
Artikelnummer:
TP2510N8-G
Hersteller:
Microchip Technology
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET P-CH 100V 0.48A SOT89-3.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - Thyristoren and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microchip Technology TP2510N8-G elektronische Komponenten. TP2510N8-G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TP2510N8-G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TP2510N8-G Produkteigenschaften

Artikelnummer : TP2510N8-G
Hersteller : Microchip Technology
Beschreibung : MOSFET P-CH 100V 0.48A SOT89-3
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 480mA (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.5 Ohm @ 750mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 125pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.6W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-243AA (SOT-89)
Paket / fall : TO-243AA
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