ZXMN10B08E6TA Preise (USD) [272776Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- ZXMN10B08E6TA
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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ZXMN10B08E6TA Produkteigenschaften
Artikelnummer :
ZXMN10B08E6TA
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
230 mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
9.2nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
497pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.1W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SOT-26
Paket / fall :
SOT-23-6
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