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- Artikelnummer:
- ZXMN2A04DN8TC
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Programmierbare Einheit and Transistoren - spezieller Zweck ...
- Wettbewerbsvorteil:
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ZXMN2A04DN8TC Produkteigenschaften
Artikelnummer :
ZXMN2A04DN8TC
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
22.1nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1880pF @ 10V
Leistung max :
1.8W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SOP
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