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- Artikelnummer:
- ZXMN2A04DN8TC
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - RF, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Transistoren - IGBTs - Module ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated ZXMN2A04DN8TC elektronische Komponenten. ZXMN2A04DN8TC kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu ZXMN2A04DN8TC haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
ZXMN2A04DN8TC Produkteigenschaften
Artikelnummer :
ZXMN2A04DN8TC
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
22.1nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1880pF @ 10V
Leistung max :
1.8W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SOP
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