IXFX120N20 Preise (USD) [5367Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXFX120N20
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFX120N20 elektronische Komponenten. IXFX120N20 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFX120N20 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXFX120N20 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFX120N20
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247
Serie :
HiPerFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
17 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
300nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
9100pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
560W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PLUS247™-3
Paket / fall :
TO-247-3
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