Diodes Incorporated - DMN61D8LVT-7

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Artikelnummer:
DMN61D8LVT-7
Hersteller:
Diodes Incorporated
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Leistungstreibermodule, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Dioden - Zener - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN61D8LVT-7 Produkteigenschaften

Artikelnummer : DMN61D8LVT-7
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 630mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.74nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 12.9pF @ 12V
Leistung max : 820mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package : TSOT-26

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