Infineon Technologies - IPP80P03P4L04AKSA1

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Artikelnummer:
IPP80P03P4L04AKSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
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Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
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ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP80P03P4L04AKSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IPP80P03P4L04AKSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 253µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 160nC @ 10V
Vgs (Max) : +5V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 11300pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 137W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PG-TO220-3-1
Paket / fall : TO-220-3

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