SPB17N80C3ATMA1 Preise (USD) [34158Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SPB17N80C3ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies SPB17N80C3ATMA1 elektronische Komponenten. SPB17N80C3ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SPB17N80C3ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SPB17N80C3ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SPB17N80C3ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Serie :
CoolMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
17A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
290 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
177nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2300pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
227W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO263-3-2
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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