IXTH1N170DHV Preise (USD) [9949Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXTH1N170DHV
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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IXTH1N170DHV Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXTH1N170DHV
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1700V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1A (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16 Ohm @ 500mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
47nC @ 5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3090pF @ 25V
FET-Funktion :
Depletion Mode
Verlustleistung (max.) :
290W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247HV
Paket / fall :
TO-247-3 Variant
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