TK31J60W5,S1VQ Preise (USD) [12995Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- TK31J60W5,S1VQ
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3PN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Toshiba Semiconductor and Storage TK31J60W5,S1VQ elektronische Komponenten. TK31J60W5,S1VQ kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TK31J60W5,S1VQ haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
TK31J60W5,S1VQ Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TK31J60W5,S1VQ
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3PN
Serie :
DTMOSIV
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
30.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
88 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 1.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
105nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3000pF @ 300V
FET-Funktion :
Super Junction
Verlustleistung (max.) :
230W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-3P(N)
Paket / fall :
TO-3P-3, SC-65-3
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