Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GB200TS60NPBF

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Artikelnummer:
VS-GB200TS60NPBF
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
IGBT 600V 209A 781W INT-A-PAK.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
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Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-GB200TS60NPBF Produkteigenschaften

Artikelnummer : VS-GB200TS60NPBF
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : IGBT 600V 209A 781W INT-A-PAK
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : NPT
Aufbau : Half Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 209A
Leistung max : 781W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.84V @ 15V, 200A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 200µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : -
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : No
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : INT-A-PAK (3 + 4)
Supplier Device Package : INT-A-PAK

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