IRL80HS120 Preise (USD) [202844Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IRL80HS120
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRL80HS120 elektronische Komponenten. IRL80HS120 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRL80HS120 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRL80HS120 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRL80HS120
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
12.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
32 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 10µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
7nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
540pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
11.5W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
6-PQFN (2x2)
Paket / fall :
6-VDFN Exposed Pad
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