TSM036N03PQ56 RLG Preise (USD) [375195Stück Lager]
- 1 pcs$0.09858
- Artikelnummer:
- TSM036N03PQ56 RLG
- Hersteller:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 124A 8PDFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Zener - Single and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
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- Wir sind spezialisiert auf Taiwan Semiconductor Corporation TSM036N03PQ56 RLG elektronische Komponenten. TSM036N03PQ56 RLG kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TSM036N03PQ56 RLG haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
TSM036N03PQ56 RLG Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TSM036N03PQ56 RLG
Hersteller :
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 124A 8PDFN
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
124A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.6 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
50nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2530pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
83W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-PDFN (5x6)
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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