NVMFD5C650NLT1G Preise (USD) [82350Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- NVMFD5C650NLT1G
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Gleichrichter - Single, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistoren - JFETs ...
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NVMFD5C650NLT1G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NVMFD5C650NLT1G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
21A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 98µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2546pF @ 25V
Leistung max :
3.5W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerTDFN
Supplier Device Package :
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
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