SIZF300DT-T1-GE3 Preise (USD) [166378Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SIZF300DT-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - JFETs, Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Thyristoren - TRIACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SIZF300DT-T1-GE3 elektronische Komponenten. SIZF300DT-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SIZF300DT-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SIZF300DT-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SIZF300DT-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3
Serie :
TrenchFET® Gen IV
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.5 mOhm @ 10A, 10V, 1.84 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Leistung max :
3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerWDFN
Supplier Device Package :
8-PowerPair® (6x5)
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