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Microsemi Corporation - JANTX1N6641US

KEY Part #: K6427418

JANTX1N6641US Preise (USD) [6983Stück Lager]

  • 1 pcs$5.93012
  • 100 pcs$5.90062
Artikelnummer:
JANTX1N6641US
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Dioden - Brückengleichrichter ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JANTX1N6641US elektronische Komponenten. JANTX1N6641US kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JANTX1N6641US haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTX1N6641US Produkteigenschaften

Artikelnummer : JANTX1N6641US
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF
Serie : Military, MIL-PRF-19500/609
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 50V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 300mA (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 300mA
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 5ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 100µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SQ-MELF, B
Supplier Device Package : D-5B
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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