SI1926DL-T1-GE3 Preise (USD) [575693Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SI1926DL-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI1926DL-T1-GE3 elektronische Komponenten. SI1926DL-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI1926DL-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SI1926DL-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SI1926DL-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
370mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 Ohm @ 340mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
1.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
18.5pF @ 30V
Leistung max :
510mW
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package :
SC-70-6 (SOT-363)
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