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- Artikelnummer:
- ZXMN3A06DN8TC
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Zener - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated ZXMN3A06DN8TC elektronische Komponenten. ZXMN3A06DN8TC kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu ZXMN3A06DN8TC haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
ZXMN3A06DN8TC Produkteigenschaften
Artikelnummer :
ZXMN3A06DN8TC
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
35 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
17.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
796pF @ 25V
Leistung max :
1.8W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SOP
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