Microsemi Corporation - APT10090BLLG

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APT10090BLLG Preise (USD) [5235Stück Lager]

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Artikelnummer:
APT10090BLLG
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Arrays, Leistungstreibermodule, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT10090BLLG Produkteigenschaften

Artikelnummer : APT10090BLLG
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
Serie : POWER MOS 7®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 950 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 71nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1969pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 298W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247 [B]
Paket / fall : TO-247-3

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