DMN61D8LQ-13 Preise (USD) [555022Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMN61D8LQ-13
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V SOT23.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - RF, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
- Wettbewerbsvorteil:
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DMN61D8LQ-13 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN61D8LQ-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V SOT23
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
470mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
3V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
0.74nC @ 5V
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
12.9pF @ 12V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
390mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SOT-23
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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