Artikelnummer :
TK40P04M1(T6RSS-Q)
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
40A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
29nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1920pF @ 10V
Verlustleistung (max.) :
47W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DP
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63