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- Artikelnummer:
- IPB77N06S212ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPB77N06S212ATMA1 elektronische Komponenten. IPB77N06S212ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPB77N06S212ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPB77N06S212ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPB77N06S212ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
77A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11.7 mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 93µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
60nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1770pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
158W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO263-3-2
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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