STS3P6F6 Preise (USD) [1593Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- STS3P6F6
- Hersteller:
- STMicroelectronics
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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STS3P6F6 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
STS3P6F6
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
Serie :
DeepGATE™, STripFET™ VI
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
160 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
6.4nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
340pF @ 48V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.7W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SO
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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