Artikelnummer :
SI4190ADY-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
18.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.8 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
67nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1970pF @ 50V
Verlustleistung (max.) :
3W (Ta), 6W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SO
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)