FDPF8D5N10C Preise (USD) [41344Stück Lager]
- 1 pcs$0.94572
- Artikelnummer:
- FDPF8D5N10C
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- FET ENGR DEV-NOT REL.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - JFETs, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Transistoren - Bipolar (BJT) - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
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FDPF8D5N10C Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDPF8D5N10C
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
FET ENGR DEV-NOT REL
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
76A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.5 mOhm @ 76A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 130µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
34nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2475pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.4W (Ta), 35W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220F
Paket / fall :
TO-220-3 Full Pack
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