Toshiba Semiconductor and Storage - TK17A80W,S4X

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TK17A80W,S4X Preise (USD) [24228Stück Lager]

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Artikelnummer:
TK17A80W,S4X
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK17A80W,S4X Produkteigenschaften

Artikelnummer : TK17A80W,S4X
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS
Serie : DTMOSIV
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 17A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 290 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 850µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2050pF @ 300V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 45W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220SIS
Paket / fall : TO-220-3 Full Pack

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