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Microsemi Corporation - APTMC60TLM55CT3AG

KEY Part #: K6523691

APTMC60TLM55CT3AG Preise (USD) [4081Stück Lager]

  • 100 pcs$172.30406
Artikelnummer:
APTMC60TLM55CT3AG
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 4N-CH 1200V 55A SP3F.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - RF, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - IGBTs - Module and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTMC60TLM55CT3AG elektronische Komponenten. APTMC60TLM55CT3AG kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTMC60TLM55CT3AG haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTMC60TLM55CT3AG Produkteigenschaften

Artikelnummer : APTMC60TLM55CT3AG
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET 4N-CH 1200V 55A SP3F
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 4 N-Channel (Three Level Inverter)
FET-Funktion : Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 49 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 2mA (Typ)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 98nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1900pF @ 1000V
Leistung max : 250W
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SP3
Supplier Device Package : SP3

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