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- Artikelnummer:
- QS6J11TR
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
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QS6J11TR Produkteigenschaften
Artikelnummer :
QS6J11TR
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
105 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
6.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
770pF @ 6V
Leistung max :
600mW
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package :
TSMT6 (SC-95)
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