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- Artikelnummer:
- IRLL2703TR
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRLL2703TR elektronische Komponenten. IRLL2703TR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRLL2703TR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRLL2703TR Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRLL2703TR
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
45 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 5V
Vgs (Max) :
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
530pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SOT-223
Paket / fall :
TO-261-4, TO-261AA
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