Vishay Siliconix - SI8900EDB-T2-E1

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Artikelnummer:
SI8900EDB-T2-E1
Hersteller:
Vishay Siliconix
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI8900EDB-T2-E1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : SI8900EDB-T2-E1
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1.1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
Leistung max : 1W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 10-UFBGA, CSPBGA
Supplier Device Package : 10-Micro Foot™ CSP (2x5)