IXFH75N10Q Preise (USD) [1109Stück Lager]
- 30 pcs$5.18439
- Artikelnummer:
- IXFH75N10Q
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - RF, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFH75N10Q elektronische Komponenten. IXFH75N10Q kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFH75N10Q haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXFH75N10Q Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFH75N10Q
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD
Serie :
HiPerFET™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
75A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
180nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3700pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
300W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247AD (IXFH)
Paket / fall :
TO-247-3
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