STMicroelectronics - STN2NE10L

KEY Part #: K6415696

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    Artikelnummer:
    STN2NE10L
    Hersteller:
    STMicroelectronics
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT-223.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - RF and Transistoren - spezieller Zweck ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf STMicroelectronics STN2NE10L elektronische Komponenten. STN2NE10L kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu STN2NE10L haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STN2NE10L Produkteigenschaften

    Artikelnummer : STN2NE10L
    Hersteller : STMicroelectronics
    Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT-223
    Serie : STripFET™
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.8A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 1A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 5V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 345pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 2.5W (Tc)
    Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : SOT-223
    Paket / fall : TO-261-4, TO-261AA