IPP45N06S4L08AKSA2 Preise (USD) [111504Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPP45N06S4L08AKSA2
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 45A PG-TO220-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - Thyristoren, Leistungstreibermodule, Dioden - Zener - Single and Dioden - Brückengleichrichter ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPP45N06S4L08AKSA2 elektronische Komponenten. IPP45N06S4L08AKSA2 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPP45N06S4L08AKSA2 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPP45N06S4L08AKSA2 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPP45N06S4L08AKSA2
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 45A PG-TO220-3
Serie :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
45A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.2 mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 35µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
64nC @ 10V
Vgs (Max) :
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4780pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
71W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO220-3-1
Paket / fall :
TO-220-3
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