Infineon Technologies - IRFH8321TRPBF

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Artikelnummer:
IRFH8321TRPBF
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFH8321TRPBF Produkteigenschaften

Artikelnummer : IRFH8321TRPBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 21A (Ta), 83A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.9 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 59nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2600pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3.4W (Ta), 54W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PQFN (5x6)
Paket / fall : 8-TQFN Exposed Pad

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