Vishay Siliconix - IRF510STRRPBF

KEY Part #: K6393097

IRF510STRRPBF Preise (USD) [130459Stück Lager]

  • 1 pcs$0.28352
  • 800 pcs$0.24193

Artikelnummer:
IRF510STRRPBF
Hersteller:
Vishay Siliconix
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Dioden - Brückengleichrichter ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix IRF510STRRPBF elektronische Komponenten. IRF510STRRPBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRF510STRRPBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF510STRRPBF Produkteigenschaften

Artikelnummer : IRF510STRRPBF
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 540 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.3nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 180pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-263 (D²Pak)
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Sie könnten auch interessiert sein an