CSD17579Q3AT Preise (USD) [231947Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- CSD17579Q3AT
- Hersteller:
- Texas Instruments
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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CSD17579Q3AT Produkteigenschaften
Artikelnummer :
CSD17579Q3AT
Hersteller :
Texas Instruments
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Serie :
NexFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.2 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.9V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
998pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.2W (Ta), 29W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-VSONP (3x3.15)
Paket / fall :
8-PowerVDFN
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