Vishay Siliconix - SI7374DP-T1-GE3

KEY Part #: K6395931

SI7374DP-T1-GE3 Preise (USD) [52486Stück Lager]

  • 1 pcs$0.74498
  • 3,000 pcs$0.69732

Artikelnummer:
SI7374DP-T1-GE3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Programmierbare Einheit, Leistungstreibermodule, Transistoren - spezieller Zweck and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI7374DP-T1-GE3 elektronische Komponenten. SI7374DP-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI7374DP-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7374DP-T1-GE3 Produkteigenschaften

Artikelnummer : SI7374DP-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 24A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 23.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 122nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5500pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 5W (Ta), 56W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PowerPAK® SO-8
Paket / fall : PowerPAK® SO-8

Sie könnten auch interessiert sein an