IPN50R1K4CEATMA1 Preise (USD) [484315Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPN50R1K4CEATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- CONSUMER.
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- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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IPN50R1K4CEATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPN50R1K4CEATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
CONSUMER
Serie :
CoolMOS™ CE
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 Ohm @ 900mA, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 70µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
8.2nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
178pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
5W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-SOT223
Paket / fall :
SOT-223-3
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