DF11MR12W1M1B11BOMA1 Preise (USD) [695Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DF11MR12W1M1B11BOMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET MODULE 1200V 50A.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies DF11MR12W1M1B11BOMA1 elektronische Komponenten. DF11MR12W1M1B11BOMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DF11MR12W1M1B11BOMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DF11MR12W1M1B11BOMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET MODULE 1200V 50A
Serie :
CoolSiC™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 50A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 20mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
125nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3950pF @ 800V
Leistung max :
20mW
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Module
Supplier Device Package :
Module
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