APT77N60SC6 Preise (USD) [7429Stück Lager]
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- 38 pcs$6.10149
- Artikelnummer:
- APT77N60SC6
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Programmierbare Einheit and Dioden - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APT77N60SC6 elektronische Komponenten. APT77N60SC6 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APT77N60SC6 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
APT77N60SC6 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APT77N60SC6
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK
Serie :
CoolMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
77A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
41 mOhm @ 44.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.6V @ 2.96mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
260nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
13600pF @ 25V
FET-Funktion :
Super Junction
Verlustleistung (max.) :
481W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D3Pak
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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