IXYS - IXFN180N10

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IXFN180N10 Preise (USD) [3444Stück Lager]

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Artikelnummer:
IXFN180N10
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - JFETs, Dioden - RF, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFN180N10 elektronische Komponenten. IXFN180N10 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFN180N10 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN180N10 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXFN180N10
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
Serie : HiPerFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 360nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 9100pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 600W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Supplier Device Package : SOT-227B
Paket / fall : SOT-227-4, miniBLOC

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