IRFZ44ESTRRPBF Preise (USD) [131492Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IRFZ44ESTRRPBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Thyristoren - Thyristoren ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRFZ44ESTRRPBF elektronische Komponenten. IRFZ44ESTRRPBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRFZ44ESTRRPBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRFZ44ESTRRPBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRFZ44ESTRRPBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Not For New Designs
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
48A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
60nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1360pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
110W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D2PAK
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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