IPSA70R950CEAKMA1 Preise (USD) [108745Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPSA70R950CEAKMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 700V 8.7A TO251-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPSA70R950CEAKMA1 elektronische Komponenten. IPSA70R950CEAKMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPSA70R950CEAKMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPSA70R950CEAKMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPSA70R950CEAKMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 700V 8.7A TO251-3
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
700V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
8.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
950 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 150µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
15.3nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
328pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
94W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO251-3-347
Paket / fall :
TO-251-3 Stub Leads, IPak
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