IPP60R190P6XKSA1 Preise (USD) [28953Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPP60R190P6XKSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPP60R190P6XKSA1 elektronische Komponenten. IPP60R190P6XKSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPP60R190P6XKSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPP60R190P6XKSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPP60R190P6XKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
Serie :
CoolMOS™ P6
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 630µ
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1750pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
151W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO220-3
Paket / fall :
TO-220-3
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