Artikelnummer :
SI3445DV-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET P-CH 8V 6-TSOP
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
8V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
42 mOhm @ 5.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Verlustleistung (max.) :
2W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
6-TSOP
Paket / fall :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6