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- Artikelnummer:
- IRF7907PBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Brückengleichrichter and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRF7907PBF elektronische Komponenten. IRF7907PBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRF7907PBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRF7907PBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRF7907PBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SOIC
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9.1A, 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16.4 mOhm @ 9.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
10nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
850pF @ 15V
Leistung max :
2W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
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