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- Artikelnummer:
- EPC2035
- Hersteller:
- EPC
- Detaillierte Beschreibung:
- GANFET TRANS 60V 1A BUMPED DIE.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - JFETs, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf EPC EPC2035 elektronische Komponenten. EPC2035 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu EPC2035 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
EPC2035 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
EPC2035
Hersteller :
EPC
Beschreibung :
GANFET TRANS 60V 1A BUMPED DIE
Serie :
eGaN®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
45 mOhm @ 1A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 800µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
1.15nC @ 5V
Vgs (Max) :
+6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
115pF @ 30V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
-
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
Die
Paket / fall :
Die
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