DMG3415UFY4Q-7 Preise (USD) [530436Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMG3415UFY4Q-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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DMG3415UFY4Q-7 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMG3415UFY4Q-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
16V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
39 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
10nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
282pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
650mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
X2-DFN2015-3
Paket / fall :
3-XDFN
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