Infineon Technologies - BSP179H6327XTSA1

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Artikelnummer:
BSP179H6327XTSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 400V 0.21A SOT-223.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - RF and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSP179H6327XTSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : BSP179H6327XTSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 400V 0.21A SOT-223
Serie : SIPMOS®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 400V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 210mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 Ohm @ 210mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 94µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6.8nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 135pF @ 25V
FET-Funktion : Depletion Mode
Verlustleistung (max.) : 1.8W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-SOT223-4
Paket / fall : TO-261-4, TO-261AA

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