IXYS - IXTA1N170DHV

KEY Part #: K6394920

IXTA1N170DHV Preise (USD) [8166Stück Lager]

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Artikelnummer:
IXTA1N170DHV
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA1N170DHV Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXTA1N170DHV
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1700V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 Ohm @ 500mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 47nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3090pF @ 25V
FET-Funktion : Depletion Mode
Verlustleistung (max.) : 290W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-263
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB